南京华瑞微集成电路有限公司（以下简称华瑞微）成立于2018年5月，公司地址位于南京市浦口高新区科创广场，是一家集功率器件产品研发、生产、销售和服务于一体的高新技术企业。华瑞微已经研发成功且量产的产品包括高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS和SGT MOS，同时正在开展第三代半导体（SiC、GaN）功率器件的研发工作。

TRENCH MOS

沟槽式金属氧化物场效应晶体管（ Trench MOSFET ）与传统VDMOS相比，具有更低的导通电阻Rdson和栅漏电荷密度，从而可实现更低的导通和开关损耗及更快的开关速度。HRmicro的Trench MOSFET通过采用最先进的沟槽技术和芯片布局，可应用于工作频率小于100kHz的各种应用领域，很好的补充HRmicro的SGT系列产品，具有抗冲击能力强，输出效率高，成本低等特点；HRmicro结合最先进的封装技术，可实现更高的输出功率和可靠性，同时拥有各种小封装产品可进一步提高电路集成度。

SGT MOS

采用电荷平衡原理，使得N型漂移区即使在较高掺杂浓度的情况下也能实现较高的击穿电压，从而获得较低的导通电阻，打破传统功率MOSFET的硅极限。 HRmicro SGT产品具有栅漏电容(Cgd)小，开关损耗低 ,优值（FOM）低，抗大电流冲击能力（EAS）强等特点，结合先进的封装技术增加了源极金属的接触面积，减少封装寄生电阻，增强了器件高温工作状态下的散热性能。

SUPER JUNCTION

HRmicro推出的第二代、第三代超结MOSFET系列产品，打破了传统平面VDMOS的硅极限，使得导通电阻与击穿电压的关系得到了极大的改进，由传统的2.5次方变为线性关系，极大的优化了器件的品质因数FOM（Rdson*Qg），比传统VDMOS具有更快的开关速度，更低的开关损耗，更优的转换效率；第二代及第三代超结MOSFET分别针对性的优化了EMI特性、产品特征导通电阻特性，同时，也带来了DFN 8*8、TO-247等多种多样的封装形式，全面适用于照明应用、各类电源、适配器、手机、电脑等多种应用场景； 第二代及第三代超结同时推出了快恢复系列产品，极大的缩短了超结MOSFET的反向恢复时间，提高了反向恢复能力，降低了反向恢复损耗，适用于半桥、全桥等拓扑电路中，可应用于各种大功率电源、充电桩等产品中。